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D209L データシート PDF ( Data ) |
| 番号 | 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| 8 | D209L | Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·High Switching Speed ·High Reliability isc Product Specificati |
 Inchange Semiconductor |
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| 7 | D209L | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD209L 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 12A 400V 120W 封装 Package 用途 z 节能灯 z 电子 |
 Jilin Sino |
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| 6 | D209L | Case rated low frequency amplification bipolar transistor R 3DD 209L µÍƵ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¶¨µÄË«¼«Ð;§Ìå¹Ü D209L ²úÆ·ÌØÐÔ ¡ô ¸ßÄÍѹ ¡ô ¸ßµçÁ÷ÈÝÁ¿ ¡ô ¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¡ô ¸ß¿É¿¿ÐÔ Ö÷ÒªÓ |
Jilin Sino |
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| 5 | D209L | Silicon NPN Power Transistor tJ 20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A. , One.. Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Switching Speed |
 New Jersey Semi-Conductor |
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