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CT3582 データシート PDF

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部品番号
CT3582

CT3582


www.Datasheet.jp CT3582 1 特点: 支持普通三灯模式及二灯模式 自动识别电池极性 充电电流大 充电饱和电压 4.25V(典型值) ,可通过 L1 调整 空载时稳压�


Core Tech
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CT3582

CT3582


www.Datasheet.jp CT3582 1 z z z z z z z 特点: 支持普通三灯模式、七彩灯模式、二灯模式 自动识别电池极性 充电饱和电压 4.25V(典型值) ,可通过 L1 调整


HotChip Tech
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文字列「 CT3582 」「 3582 」で始まる検索結果です。

部品説明

CT3582B

CT3582B

CT3582B 1 特点: z 支持座式充电器模式 z 支持普通三灯模式及二灯模式、七彩灯模式 z 自动识别电池极性 z 充电饱和电压 4.25V(典型值),可通过 L1 调整 z 空载时稳压输出 z 短路保护功能 z 极少的外围器件 2 脚位�

Core Tech
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CT3582C

Constant current charging with automatic recognition of universal charger control IC

CT3582C 1 特点: z 支持座式充电器模式 z 支持普通三灯模式及二灯模式、七彩灯模式 z 自动识别电池极性 z 充电饱和电压 4.25V(典型值),可通过 L1 调整 z 空载时稳压输出 z 短路保护功能 z 极少的外围器件 2 脚位�

Core Tech
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CT3582C1

Constant current charging with automatic recognition of universal charger control IC

CT3582C1 DATASHEET 1 功能: CT3582C1 是一款恒流充电,带自动识别的万能充电器控制 IC。不论电池以何种极性 接入电路,均能正常充电。IC 的高度集成,最大限度的减少了充电器外围元器件。 2 特点: z 支持普通三灯�

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2SC3582

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SHEET DATA SILICON TRANSISTOR 2SC3582 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3582 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Lownoise figure,

NEC
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2SC3582

Silicon NPN RF Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor isc RF Product Specification 2SC3582 DESCRIPTION ·Low Noise Figure, High Gain, and High Current Capability Achieve a Very Wide Dynamic Range and Excellent Linearity. ·Low Noise and High Gain NF = 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz Ga

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

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2SK3582TK

Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type

2SK3582TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK3582TK For ECM • Application for Ultra-compact ECM 0.22±0.05 1.2±0.05 0.8±0.05 0.32±0.05 3 2 0.1±0.05 Unit: mm 0.45 0.45 1.4±0.05 Characteristic Gate-Drain voltage Gate Current Drain power d

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

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