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CR16AM データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 CR16AM

BCR16A

www.Datasheet.jp MITSUBISHI SEMICONDUCTOR 〈TRIAC〉 BCR16A, BCR16B, BCR16C, BCR16E MEDIUM POWER USE A, B, C : NON-INSULATED TYPE, E : INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE BCR16A, BCR16B, BCR

Mitsubishi Electric
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CR1 データシート - 検索結果

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CR12LM-12B

Thyristor

CR12LM-12B Thyristor Medium Power Use Preliminary Datasheet R07DS0213EJ0100 Rev.1.00 Dec 03, 2010 Features  IT (AV) : 12 A  VDRM : 600 V  IGT : 30 mA  Viso : 1800 V  The product guaranteed maximum junction temperature of 150°C  Insulated Type  Planar Pass

Renesas
Renesas
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CR10A

(CR10A / CR12A) Ceramic Chip SMD

SMD - 180O ANGLE HIGH POWER OUTPUT CR 10 A / CR 12 A MAXIMUM RATINGS AT 250 C Power dissipation Derating linear Ptot Peak forward current m o .c U 4 t e e h S a t a .D w w w amber MADE IN GERMANY ALL MEASUREMENTS IN mm 2/94 Features SolidStateCeramicChip SurfaceMountingDevi

Elcos
Elcos
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CR1010

CR Series / Thick Film Chip Resistors

CR Vishay Techno w wSTANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS MODEL CR1 CR5050 CR2 CR3 CR1010 CR1206 CR4 CR5 RESISTANCE RANGE (Ohms) 100 - 500K 100 - 500K 100 - 1M 100 - 1M 100 - 1M 100 - 1M 100 - 1M 100 - 1M POWER RATING* (mW) 100 100 200 250 450 300 325 525 a D . w S a t e e h U

Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
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CR150

Diode Current Reg. 100V 1.65mA 2-Pin TO-18

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
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