CR05BS-8 データシート PDFこの部品の機能は「Thyristor Low Power Use」です。 |
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部品番号 |
CR05BS-8 Thyristor Low Power Use www.Datasheet.jp CR05BS-8 Thyristor Low Power Use REJ03G0347-0200 Rev.2.00 Mar 22, 2007 Features • IT (AV) : 0.1 A • VDRM : 400 V • IGT : 100 µA • Non-Insulated Type • Planar Passivati Renesas Technology |
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部品説明 |
0230500L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230500L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0405-1000M UHF Pulsed Radar 0405-1000M R3 . 0405-1000M 1000 Watts - 40 Volts, 300µs, 10% UHF Pulsed Radar 400 - 450 MHz GENERAL DESCRIPTION The 0405-1000M is an internally matched, COMMON EMITTER transistor capable of providing 1000 Watts of pulsed RF output power in a push-pull configuration at three hu Microsemi Corporation |
0405B20220 Your right power solution RSG Electronic |
0405B24216 Your right power solution RSG Electronic |
0405SC-2200M Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT 0405SC-2200M Rev A1 0405SC-2200M 2200Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT PRELIMINARY SPECIFICATION GENERAL DESCRIPTION The 0405SC-2200M is a Common Gate N-Channel DEPLETION MODE Class AB SILICON CARBIDE (SiC) STATIC INDUCTION TRANSI Microsemi |
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