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Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V CPM2-1200-0025B Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET Features Package ID @ 120˚C 50 A RDS(on) 25 mΩ N-Channel Enhancement Mode • • • • •

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CPM2-1200-0040B

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V CPM2-1200-0040B Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology ID @ 25˚C 36 A RDS(on) 40 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Chip Outline • New C2M SiC MOSFET technlogy • High Blocking Voltage with Low On-Resistance • High S

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CPM2-1200-0080B

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V CPM2-1200-0080B Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET Features Package ID @ 25˚C 31.6 A RDS(on) 80 mΩ N-Channel Enhancement Mode • • • • • • High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS

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CPM2-1200-0025B

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V CPM2-1200-0025B Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET Features Package ID @ 120˚C 50 A RDS(on) 25 mΩ N-Channel Enhancement Mode • • • • • • High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(

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