CM165YE4-12F データシート PDFこの部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
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部品番号 |
CM165YE4-12F IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com CM165YE4-12F TLI-Series (Three Level Inverter) IGBT 165 Amperes/600 Volts E J (4 PLACES) A D FG H K L B Powerex |
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部品説明 |
1654 Binary Counter Motorola Semiconductors |
2SA1654 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Sanyo Semicon Device |
2SC1654 DISPLAY TUBE DRIVE /HIGH VOLTAGE SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD NEC |
2SC1654 Silicon Epitaxial Planar Transistor BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES z High DC current gain:hFE=130(Typ) (VCE=3V,IC=15mA) z High voltage. Production specification 2SC1654 Pb Lead-free APPLICATIONS z Audio frequency general purpose amplifier applications. SOT-23 ORDERING INFORMA Galaxy Semi-Conductor |
2SC1654 NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SC1654 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Transistors IC Unit: mm +0.1 2.4-0.1 High voltage VCEO : 160V +0.1 1.3-0.1 High DC current gain.hFE=130 typ.(VCE=3.0V,IC=15mA) 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 0.55 0.4 Features 3 +0.05 Kexin |
2SC1654 NPN Epitaxial Planar Transistor 2SC1654 Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free 0.05A , 180V NPN Epitaxial Planar Transistor FEATURE SOT-23 A 3 3 High Frequency Power Amplifier Application Power Switching Applications L Top View C B 1 2 SeCoS |
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