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部品名「 C5988 」データシート（PDF）を検索した結果です。 結果として示された要約情報を活用して、さまざまな製造元のデータシートを比較してダウンロードできます。 当社の検索ツールは、検索結果の範囲をすばやく絞り込み、必要なものを正確に見つけることができるフィルタと並べ替えオプションを備えた直感的で使いやすく設計されています。 |
C5988 データシート PDF |
| 番号 | 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| 1 | C5988 | Silicon NPN transistor epitaxial type C5988 Silicon NPN transistor epitaxial type C5988 [ Applications ] High current amplifier [ Feature ] Collector current IC= 6A Very low collector saturation voltage VCE(sat)= 550mV (Max.) at IC= 6A |
 PHENITEC SEMICONDUCTOR |
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文字列「 C59 」で始まる検索結果です。 |
| 部品番号 | 部品説明 | メーカ | |
| C5991 | 2SC5991 Ordering number : ENN8071 2SC5991 2SC5991 Applications • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features • • • • • • Adoption of FBET, MBIT process. High c |
 Sanyo Semicon Device |
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| C5964 | NMOS multichannel detector head |
 Hamamatsu |
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| C5949 | Position Sensor System DATA SHEET Position Sensor System C5949 v Shown with optional lens. The C5949 is a compact, high-resolution, light-spot position measurement system using a non-discrete position sensitive detector (PSD) and infrared LED. The system allows you to track the movement of up to sev |
Hamamatsu |
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| C5988 | Silicon NPN transistor epitaxial type C5988 Silicon NPN transistor epitaxial type C5988 [ Applications ] High current amplifier [ Feature ] Collector current IC= 6A Very low collector saturation voltage VCE(sat)= 550mV (Max.) at IC= 6A, IB= 300mA Exellent gain characteristics specified up to 10 ampers PNP compleme |
PHENITEC SEMICONDUCTOR |
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| C5906 | Silicon NPN transistor Silicon NPN transistor epitaxial type C5906 C5906 [ Applications ] High voltage, High current [ Feature ] High voltage VCEO= 170V High current gain charactristic Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)= 0.45V(Max.) at IC/IB= 2A/200mA Fast-switching speed [ Absolute |
PHENITEC SEMICONDUCTOR |
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| C5906 | Silicon NPN Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5906 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications 2SC5906 Unit: mm • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.2 V (max |
 Toshiba |
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