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データシート C547B PDF ( Circuit Data )

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C54 データシート - 検索結果

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C5464

2SC5464

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5464 2SC5464 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, |S21e|2 = 12dB (f = 1 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Unit: mm Characteristics Collector-base voltage

Toshiba
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C5439

2SC5439

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5439 Switching Regulator Applications High-Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications Inverter Lighting Applications 2SC5439 Unit: mm • Excellent switching times: tr = 0.2 μs (typ.), tf = 0.15 μs (typ.)

Toshiba
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C5458

2SC5458

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5458 High Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Inverter Applications 2SC5458 Unit: mm • Excellent switching times: tr = 0.5 µs (max) tf = 0.3 µs (max) (IC =

Toshiba
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C5450

Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SC5450 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage- : VCBO= 1600V (Min) ·High Speed Switching ·High Reliability ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Color TV hori

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
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C5465

2SC5465

2SC5465 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5465 Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High Speed DC-DC Converter Applications Industrial Applications Unit: mm • Excellent switching times: tr = 0.7 µs (max) tf = 0.5 µs (max) (IC =

Toshiba
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C5418

2SC5418

Power Transistors 2SC5418 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit: mm s Features q High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer q High-speed switching q Wide area of safe ope

Panasonic Semiconductor
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C547B 回路図、ピン配列、同等



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