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C536 データシート PDF 検索

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4 C536

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SC536 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, O, Y, G and L, according to its DC current gain. On speci

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3 C536

2SC536

2SC536 2SC536 FEATURES Power dissipation PCM: TRANSISTOR (NPN) TO-92 1. EMITTER 400 mW (Tamb=25℃) 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Collector current ICM: 100 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: 40

WEJ
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2 C5360

2SC5360

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5360 Color TV Chroma Output Applications 2SC5360 Unit: mm • High voltage: VCEO = 300 V • Small collector output capacitance: Cob = 5.0 pF (

Toshiba Semiconductor
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1 C5368

2SC5368

2SC5368 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5368 High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm • • • High speed

Toshiba Semiconductor
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