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C5171 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 C5171

2SC5171

2SC5171 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5171 Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Unit: mm • • High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Comple

Toshiba Semiconductor
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C51 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
C5110

2SC5110

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5110 2SC5110 For VCO Application Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Base current Collector current

Toshiba
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C5108

2SC5108

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5108 2SC5108 For VCO Application Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Base current Collector current

Toshiba
Toshiba
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C5128

2SC5128

Power Transistors 2SC5128 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit: mm s Features q High-speed switching q High collector to base voltage VCBO q Wide area of safe operation (ASO) q Full-pack package wit

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
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C5194

2SC5194

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5194 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • L

NEC
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C5171 回路図、ピン配列、同等



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