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データシート C2M0045170D PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 C2M0045170D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1700 V C2M0045170D Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology ID @ 25˚C 72 A RDS(on) 45 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Blocking

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C2M データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
C2M0045170D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1700 V C2M0045170D Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology ID @ 25˚C 72 A RDS(on) 45 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Blocking Voltage with Low On-Resistance • High Speed Switching with Low Capacitances

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C2M0280120D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V C2M0280120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology ID @ 25˚C 10 A RDS(on) 280 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Package • New C2M SiC MOSFET technlogy • High Blocking Voltage with Low On-Resistance • High Speed

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C2M0025120D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V C2M0025120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology ID @ 25˚C 90 A RDS(on) 25 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Blocking Voltage with Low On-Resistance • High Speed Switching with Low Capacitances

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C2M1000170D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1700 V C2M1000170D Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET Features Package ID @ 25˚C 4.9 A RDS(on) 1.0 Ω N-Channel Enhancement Mode • • • • • High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy

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C2M0040120D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V C2M0040120D Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology ID @ 25˚C 60 A RDS(on) 40 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Package • High Blocking Voltage with Low On-Resistance • High Speed Switching with Low Capacitances

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C2M0160120D

Silicon Carbide Power MOSFET

VDS 1200 V 17.7 A 160 mΩ C2M0160120D Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET Features Package ID(MAX) @ 25˚C RDS(on) N-Channel Enhancement Mode • • • • • High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS

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C2M0045170D 回路図、ピン配列、同等



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