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BUZ80 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
8 BUZ80

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

BUZ 80 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Type BUZ 80 VDS 800 V ID 3.1 A RDS(on) 4Ω Package TO-220 AB Ordering Code C67078-S1309-A2 Maximum Ratings Parameter Continuous drain current Symbol Values 3.1 Unit A ID IDpuls 12.5 TC = 28 °C Pulsed drain current TC = 25 °C Avalanche current,limite

Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
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7 BUZ80

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

BUZ80 BUZ80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE BUZ80 BUZ80FI s s s s s s s V DSS 800 V 800 V R DS( on) < 4Ω < 4Ω ID 3.4 A 2.1 A TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω AVALANCHE RUGGEDNESS TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INPUT CAPACITANCE LOW GATE CHARGE APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION 3 1 2 1 2 3 TO-220 ISOWATT2

STMicroelectronics
STMicroelectronics
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6 BUZ80

Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
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5 BUZ80A

Power Transistor

Infineon
Infineon
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部品番号 部品説明 メーカ PDF
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