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データシート BSO110N03MSG PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 BSO110N03MSG

Power-Transistor

BSO110N03MS G OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET Features • Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) • Low FOMSW for High Frequency SMPS • 100% Avalanche tested • N-channel

Infineon Technologies
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BSO データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
BSO612CVG

Small-Signal-Transistor

Rev. 2.1 BSO 612 CV G SIPMOS® Small-Signal-Transistor Product Summary Features · Dual N- and P -Channel · Enhancement mode · Avalanche rated Drain source voltage Drain-Source on-state resistance Continuous drain current · Pb-free lead plating;RoHS compliant VDS RDS(on

Infineon
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BSOZAA501

BIG SOZA CELL

Shanghai Lunsure Electronic Technology Co.,LTD Tel:0086-21-37185008 Fax:0086-21-57152769 Features High power capability Economical Avalanche voltage: 20 to 24 volts BSOZAA50L BIG SOZA CELL AVALANCHE VOLTAGE 20 TO 24 VOLTS CURRENT 50AMPS Mechanical Data Copper slug Technology: c

Lunsure Electronic
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BSO215C

SIPMOS Small-Signal-Transistor

Preliminary data BSO 215 C SIPMOS ® Small-Signal-Transistor Features • Dual N- and P -Channel • Product Summary Drain source voltage Drain-Source on-state resistance Continuous drain current N P -20 0.1 -3.7 V Ω A VDS RDS(on) ID 20 0.1 3.7 Enha

Infineon Technologies
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BSOZA304

BIG SOZA CELL

BIG SOZA CELL BSOZA301 THRU BSOZA306 TECHNICAL SPECIFICATION: FEATURES • Low Leakage • Low forward voltage drop • High current capability • High forward surge current capacity VOLTAGE RANGE CURRENT 100 to 600 Volts 30.0 Amperes .299(7.6) DIA .283(7.2) MECHANICAL DAT

MIC
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BSOZA302

BIG SOZA CELL

BIG SOZA CELL BSOZA301 THRU BSOZA306 TECHNICAL SPECIFICATION: FEATURES • Low Leakage • Low forward voltage drop • High current capability • High forward surge current capacity VOLTAGE RANGE CURRENT 100 to 600 Volts 30.0 Amperes .299(7.6) DIA .283(7.2) MECHANICAL DAT

MIC
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BSO080P03NS3G

Power-Transistor

OptiMOS™3 P3-Power-Transistor Features • single P-Channel in SO8 • Qualified according JEDEC1) for target applications • 150°C operating temperature • V GS=25 V, specially suited for notebook applications • Pb-free plating; RoHS compliant • applications: battery ma

Infineon Technologies
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BSO110N03MSG 回路図、ピン配列、同等



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