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データシート BLF278 PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
2 BLF278

VHF push-pull power MOS transistor

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF278 VHF push-pull power MOS transistor Product Specification Supersedes data of October 1992 1996 Oct 21 Philips Semiconductors Product Specification VHF p

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1 BLF278

Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5-Pin CDFM

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BLF データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
BLF9G38LS-90P

Power LDMOS transistor

BLF9G38LS-90P Power LDMOS transistor Rev. 2 — 3 July 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 90 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 3400 MHz to 3600 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at

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BLF10M6LS135

Power LDMOS transistor

BLF10M6135; BLF10M6LS135 Power LDMOS transistor Rev. 1 — 24 June 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 135 W LDMOS power transistor for industrial applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF per

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BLF7G27LS-140

Power LDMOS transistor

BLF7G27L-140; BLF7G27LS-140 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 27 May 2010 Objective data sheet 1. Product profile 1.1 General description 140 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2500 MHz to 2700 MHz. Table 1. Typical p

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BLF4G10-120

UHF power LDMOS transistor

BLF4G10-120; BLF4G10S-120 UHF power LDMOS transistor Rev. 01 — 10 January 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 120 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 800 MHz to 1000 MHz. Table 1: Typic

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BLF178XRS

Power LDMOS transistor

BLF178XR; BLF178XRS Power LDMOS transistor Rev. 4 — 12 July 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 128 MHz band. Table 1. Application informa

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BLF988S

Power LDMOS transistor

BLF988; BLF988S Power LDMOS transistor Rev. 2 — 1 August 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A 600 W LDMOS RF power transistor for transmitter applications and industrial applications. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for

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BLF278 回路図、ピン配列、同等



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