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B4018 データシート PDF

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部品番号
B4018

SAW Components


www.Datasheet.jp SAW Components Low-Loss Duplexer for Mobile Communication Data Sheet Features q Compact RF duplexer for cordless telephone B4018 926,25 MHz 903,75 MHz Ceramic package QCC8B ISM


EPCOS
EPCOS

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文字列「 B4018 」「 4018 」で始まる検索結果です。

部品説明

2SK4018

DC-DC Converter and Motor Drive Applications

2SK4018 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (L 2 −π−MOS V) 2SK4018 Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications 6.5±0.2 5.2±0.2 1.5±0.2 Unit: mm 0.6 MAX. 1�

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

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APM4018NU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM4018NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • 40V/60A, RDS(ON)=6.5mΩ (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=9.5mΩ (typ.) @ VGS=4.5V Pin Description D G S • • • Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Top

ANPEC
ANPEC

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APT4018BN

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

D TO-247 G S APT4016BN 400V ® 31.0A 0.16Ω 29.0A 0.18Ω POWER MOS IV MAXIMUM RATINGS Symbol VDSS ID IDM VGS PD TJ,TSTG TL Parameter Drain-Source Voltage APT4018BN 400V N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specif

Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

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APT4018HVR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT4018HVR 400V 22A 0.180Ω POWER MOS V ® TO-258 Power MOS is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster

Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

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AS8C401800

3.3V Synchronous SRAMs

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect ◆ ◆ AS8C403600 AS8C401800 Features 128K x 36, 256K x 18 memory configurations Supports high system speed: Commercial: – 150MHz 3.8ns clock access time LBO input s

Alliance Semiconductor
Alliance Semiconductor

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AS8C401800-QC150N

3.3V Synchronous SRAMs

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect ◆ ◆ AS8C403600 AS8C401800 Features 128K x 36, 256K x 18 memory configurations Supports high system speed: Commercial: – 150MHz 3.8ns clock access time LBO input s

Alliance Semiconductor
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