APTM50UM13S-ALN データシート PDFこの部品の機能は「Mosfet Power Module」です。 |
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部品番号 |
APTM50UM13S-ALN MOSFET Power Module APTM50UM13S-AlN Single switch Series & parallel diodes MOSFET Power Module SK CR1 D VDSS = 500V RDSon = 13mΩ max @ Tj = 25°C ID = 335A @ Tc = 25°C Application • Welding converters • Switched Advanced Power Technology |
文字列「 APTM50UM13 」「 50UM13S 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
1N5013A (1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:/// New Jersey Semi-Conductor |
2N5013 0.5AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 450 VOLTS ETC |
2N5013 Bipolar NPN Device 2N5013 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 800V Seme LAB |
2N5013 Trans GP BJT NPN 800V 0.5A 3-Pin TO-39 New Jersey Semiconductor |
2SC5013 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5013 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 10 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 0.3 +0.1 –0.05 P NEC |
2SC5013-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5013 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 10 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation 0.3 +0.1 –0.05 P NEC |
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