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APTGT150TA60P データシート PDF

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部品番号
APTGT150TA60P

IGBT Power Module


APTGT150TA60P Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Module VBUS1 VBUS2 VBUS3 VCES = 600V IC = 150A @ Tc = 80°C Application • Welding converters • Switched Mode Power Supplies • Uni


Advanced Power Technology
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文字列「 APTGT150TA60 」「 150TA60P 」で始まる検索結果です。

部品説明

APTGT150TA60PG

IGBT Power Module

APTGT150TA60PG Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT® Power Module VBUS1 VBUS2 VBUS3 VCES = 600V IC = 150A @ Tc = 80°C Application • Welding converters • Switched Mode Power Supplies • Uninterruptible Power Supplies • Motor control W G1 G3 G5 E1 U E3 V E5

Microsemi
Microsemi

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MRF15060

RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS

( DataSheet : ) MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF15060/D The RF Sub–Micron Bipolar Line RF Power Bipolar Transistors Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies from 1400 to 1600 MHz. The h

Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

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MRF15060S

RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS

( DataSheet : ) MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MRF15060/D The RF Sub–Micron Bipolar Line RF Power Bipolar Transistors Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies from 1400 to 1600 MHz. The h

Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

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MSRT15060

(MSRT15060 - MSRT150100A) Silicon Standard Recovery Diode

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America Semiconductor
America Semiconductor

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MSRT15060A

(MSRT15060 - MSRT150100A) Silicon Standard Recovery Diode

Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/ Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/

America Semiconductor
America Semiconductor

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RHRU15060

150A/ 600V Hyperfast Diode

RHRU15060 Data Sheet January 2000 File Number 3089.3 150A, 600V Hyperfast Diode The RHRU15060 is a hyperfast diode with soft recovery characteristics (trr < 60ns). It has half the recovery time of ultrafast diodes and is of silicon nitride passivated ion-implanted epitaxial plan

Intersil Corporation
Intersil Corporation

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