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番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 APT8030JN

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

D S G D S G S SO 2 T- 27 APT8030JN APT8035JN 800V 800V 27.0A 0.30Ω 25.0A 0.35Ω ISOTOP® "UL Recognized" File No. E145592 (S) POWER MOS IV MAXIMUM RATINGS Symbol VDSS ID IDM, lLM VGS PD

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APT803 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
APT8030JVFR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT8030JVFR 800V 25A 0.300Ω S G D S POWER MOS V ® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also a

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APT8030B2VR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT8030B2VR 800V 27A 0.300Ω POWER MOS V ® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster swi

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APT8030

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT8030B2VFR 800V 27A 0.300Ω POWER MOS V ® FREDFET T-MAX™ Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also

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APT8035JN

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

D S G D S G S SO 2 T- 27 APT8030JN APT8035JN 800V 800V 27.0A 0.30Ω 25.0A 0.35Ω ISOTOP® "UL Recognized" File No. E145592 (S) POWER MOS IV MAXIMUM RATINGS Symbol VDSS ID IDM, lLM VGS PD TJ,TSTG TL Parameter Drain-Source Voltage ® SINGLE DIE ISOTOP® PACKAGE All

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