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5N3011 データシート PDF 検索

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H5N3011P

H5N3011P Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline TO-3P D G S 1 2 3 Absolute Maximum Ratings It

Renesas
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5N30 データシート - 検索結果

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5N30

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 5N30 ·DESCRIPTION ·Drain Current ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Fast Switching Speed ·APPLICATIONS ·General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=2

Inchange Semiconductor
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H5N3011P

H5N3011P Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching Outline TO-3P D G S 1 2 3 Absolute Maximum Ratings Item Drain to Source voltage Gate to Source voltage Drain current Drain peak curre

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