55HQ030 データシート PDFこの部品の機能は「Diode Schottky 30v 60a 2-pin Do-5」です。 |
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部品番号 |
55HQ030 Diode Schottky 30V 60A 2-Pin DO-5 New Jersey Semiconductor |
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部品説明 |
CGH55030F1 GaN HEMT CGH55030F1 / CGH55030P1 30 W, 5500-5800 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH55030F1/CGH55030P1 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH55030F Cree |
CGH55030P1 GaN HEMT CGH55030F1 / CGH55030P1 30 W, 5500-5800 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX Cree’s CGH55030F1/CGH55030P1 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH55030F Cree |
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