3MBI150UC-120 データシート PDF

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部品番号

3MBI150UC-120

1200V / 150A 3 in one-package

3MBI150UC-120 IGBT Module U-Series Features · High speed switching · Voltage drive · Low inductance module structure · With shunt resistors 1200V / 150A 3 in one-package Applications · Inverter

Fuji Electric

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部品説明

1S3150A

(1S31xxA) VARACTOR DIODE

DataSheet 4 U .com

MSI Electronics

23150

BobbinWoundSurfaceMountInductors

C&DTechnologies

2SC3150

POWER TRANSISTORS(3A/800V/50W)

A A A

Mospec Semiconductor

2SC3150

For Switching Regulator

Ordering number:EN1069C NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3150 800V/3A Switching Regulator Applications Features · High breakdown voltage (VCBO≥900V). · Fast switching speed. · Wide ASO. Package Dimensions unit:mm 2010C [2SC3150] JEDEC

Sanyo Semicon Device

2SC3150

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3150 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage : VCBO=900V(Min) ·Fast switching speed. ·Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A switching regula

SavantIC

2SK3150

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3150(L), 2SK3150(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-750A (Z) 2nd. Edition February 1999 Features • Low on-resistance R DS = 45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline LDPAK 4 4 D 1 1

Hitachi Semiconductor

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特徴

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