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3DU5C データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 3DU5C

Metal Encapsulated Silicon Phototransistor

3DU5C Metal Encapsulated Silicon Phototransistor Dimension Specification  NPN Silicon Phototransistor;Model : 3DU5C  Working Voltage(Max.) : 10V;  Reverse Breakdown Voltage : 15V;  Dark Cu

ETC
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3D データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
3DA5371

NPN Transistor

3DA5371 TRANSISTOR (NPN) TO-220F FEATURES z Breakdown Voltage High z Reverse Cut-off Current Small z Saturation Voltage Low z Power dissipation PCM : 1.5W (Tamb=25℃) 25 W (Tcase=25℃) MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter VCBO VCEO VEBO

KOO CHIN
KOO CHIN
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3D7501M

MONOLITHIC MANCHESTER ENCODER

3D7501 MONOLITHIC MANCHESTER ENCODER (SERIES 3D7501) FEATURES • • • • • • All-silicon, low-power CMOS technology TTL/CMOS compatible inputs and outputs Vapor phase, IR and wave solderable Auto-insertable (DIP pkg.) Low ground bounce noise Maximum data rate: 50 MBaud

ETC
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3DD4123DM

(3DD4123DM/DT) MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

R NPN 型中压功率开关晶体管 MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD4123DT、3DD4123DM 主要参数 IC VCEO PC(D4123DT) PC(D4123DM) MAIN CHARACTERISTICS 2.0A 200V 1W 20W 封装 Package 用途 z z z z 节能灯 电子镇流器 电子变压器 一般

JILIN SINO
JILIN SINO
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3DD13003J6D

Silicon NPN Transistor

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13003 J6D ○R 产品概述 3DD13003 J6D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,集成了有源抗饱和网 络,提高了产品的击穿电 压、开

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
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