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3DD2499 データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 3DD2499

Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors

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ETC
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3DD データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
3DD13005KD1

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13005KD1 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC(TO-220) 4A 400V 75W 封装 Package 用途 z 节能灯 z 电子镇流器 z 高频开关电源 z 高频功率变换 z 一般功率放

JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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3DD128Y8D

Silicon NPN Transistor

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD128 Y8D ○R 产品概述 3DD128 Y8D 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 集成了有源抗饱和网络,提 高了产品的击穿电压、开关

Huajing Microelectronics
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3DD13003VUD

Silicon NPN Transistor

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13003 VUD ○R 产品概述 3DD13003 VUD 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,集成了有源抗饱和网 络,提高了产品的击穿电 压、开

Huajing Microelectronics
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3DD101A

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 3DD101A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max)@ IC= 2.5A

Inchange Semiconductor
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3DD4540A7

Silicon NPN Transistor

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4540 A7 ○R 产品概述 3DD4540 A7 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 集成了有源抗饱和网络,提 高了产品的击穿电压、开关

Huajing Microelectronics
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3DD13007F8

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

华润华晶分立器件 硅 NPN 低频放大双极型晶体管 ○R 3DD13007F8 1 产品概述: 3DD13007F8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,硅特单征晶参重数掺杂衬底材料,分压 分压环终端结构和少子寿命控制技术

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3DD2499 回路図、ピン配列、同等



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