2SK960 データシート PDFこの部品の機能は「(2skxxxx) Mosfets」です。 |
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部品番号 |
2SK960 (2SKxxxx) MOSFETs Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Fuji Semiconductors |
2SK960 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Fuji Electric |
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部品説明 |
2SK960-MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Fuji Electric |
2N2960 Bipolar NPN Device 2N2960 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.0 Seme LAB |
2N2960 Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0 Central |
2SC2960 High-Speed Switching Applications Ordering number:EN829H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1481/2SC2960 High-Speed Switching Applications Features · Fast switching speed. · High breakdown voltage. Package Dimensions unit:mm 2033 [2SA1481/2SC2960] ( ) : 2SA1481 B : Base C : Collector E : Emitt Sanyo Semicon Device |
2SK2960 Silicon N-Channel Power F-MOS FET Power F-MOS FETs 2SK2960 Silicon N-Channel Power F-MOS FET s Features q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 250mJ q VGSS = ±30V guaranteed q High-speed switching: tf = 55ns q No secondary breakdown unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 M Di ain sc te on na tin Panasonic |
AM2960 16-Bit Cascadable Error Detection and Correction AMD |
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