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1 2SK610

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) isc Product Specification 2SK610 DESCRIPTION ·High Volta

Inchange Semiconductor
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2SK3322

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3322 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3322 is N-Channel DMOS FET device that ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK3322 2SK3322-S 2SK3322-ZJ PACKAGE TO-220AB (MP-25) TO-262 TO-263(MP-25ZJ) TO-263(

NEC
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2SK2489

VZ Series Power MOSFET(180V 10A)

SHINDENGEN VZ Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type 2SK2489 ( F10S18VZ ) 180V 10A FEATURES •œ Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. •œ The static Rds(on) is small. •œ The switching time is fast. APPLICATION OUTLI

Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
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2SK897

(2SKxxxx) MOSFETs

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Fuji Semiconductors
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2SK3076L

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3076(L),2SK3076(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-656 (Z) 1st. Edition Jun 1998 Features • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current. Built-in fast recovery diode (trr=120 ns) Outline LDPAK 4 4 D 1 G 1 2 3 2 3 S

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
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