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2SK3561 データシート PDF 検索

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6 2SK3561

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3561 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3561 Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward

Toshiba
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5 2SK3561

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3561 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3561 Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward

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4 2SK3561

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3561 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3561 Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward

Toshiba
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3 2SK3561

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK3561 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI) 2SK3561 Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.) • High forward

Toshiba Semiconductor
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