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番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2SK3332

Transistor

2SK3332 Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 150 +20, –10 ± 12 ± 48 30 (Tc = 25ºC) 100 12 150 –55 to +150 (Ta = 25ºC) External dimensions

Sanken Electric
Sanken Electric
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2SK3 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SK3666

N-Channel JFET

Ordering number : EN8158C 2SK3666 N-Channel JFET 30V, 0.6 to 3.0mA, 6.5mS, CP http://onsemi.com Applications • Low-frequency general-purpose amplifier, impedance conversion, infrared sensor applications Features • Small IGSS • Small Ciss Specifications Absolut

ON Semiconductor
ON Semiconductor
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2SK3160

Silicon N Channel MOS FET

2SK3160 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =130 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline REJ03G1085-0300 (Previous: ADE-208-751A) Rev.3.00 Sep 07, 2005 RENESAS Package

Renesas
Renesas
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2SK3082S

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3082(L),2SK3082(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-637 (Z) 2nd. Edition May 1998 Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.055 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline LDPAK 4 4 1 1 2 3 2

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
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2SK3640

MOS Field Effect Transistor

SMD Type Transistors IC 100V N-Channel PowerTrench MOSFET KDD3670 TO-252 Unit: mm +0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7 Features 34 A, 100 V. RDS(ON) = 32m RDS(ON) = 35m @ VGS = 10 V +0.2 9.70-0.2 Low gate charge (57 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology fo

Kexin
Kexin
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