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番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2SK2869L

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

www.Datasheet.jp 2SK2869(L), 2SK2869(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1037-0200 (Previous: ADE-208-570) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Features • Low on-resistance RDS = 0.0

Renesas Technology
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2SK28 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SK2806-01

N-channel MOS-FET

2SK2806-01 FAP-IIIB Series > Features High Current Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power Avalanche Rated N-channel MOS-FET 30V 0,02Ω 35A 30W > Outline Drawing > Applications - Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters > Maxim

Fuji Electric
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2SK2874-01L

N-channel MOS-FET

2SK2874-01L,S FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET 500V 1,5Ω ±6A 50W > Outline Drawing > Applications Switching Regulator

Fuji Electric
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2SK2826-S

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2826 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK2826 2SK2826-S 2SK2826-ZJ PACKAGE TO-220AB TO-262 TO-263 DESCRIPTION This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high curr

NEC
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2SK2885S

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2885(L), 2SK2885(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-545 A 2nd. Edition Features • Low on-resistance R DS(on) = 10mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching Outline LDPAK 4 4 D 1 1 G 2 3 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. D

Hitachi Semiconductor
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