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2SK2396A データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2SK2396A

Silicon Power MOS FET

N MOS UHF TV MOS Silicon Power MOS Field Effect Transistor 2SK2396A UHF PO = 100 W, GL = 12 dB, h D = 50 TYP VDD = 30 V, f = 860 MHz, IDQ = 150 mA 2, Pin = 40 dBm f = 470 860 MHz Unit mm TA =

Renesas
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2SK23 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SK2356-Z

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2355, 2SK2355-Z/2SK2356, 2SK2356-Z SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2355, 2SK2355-Z/2SK2356, 2SK2356-Z is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. 3.0 ±

NEC
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2SK2317

N-Channel Silicon MOSFET

Ordering number:ENN5058 Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. N-Channel Silicon MOSFET 2SK2317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Package Dimensions unit:mm 2083B 6.5 5.0 4 [2SK2317] 2.3 0.5 5.5 1.5 7.0 0.85 0.7 1.2 0.8 1.6 7.5

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
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2SK2398

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED/ HIGH VOLTAGE SWITCHING/ DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

2SK2398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) 2SK2398 DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm l Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 22 mΩ (typ.) l High forward transfer admittance : |Yfs| = 27 S (typ.) l Low leakag

Toshiba Semiconductor
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2SK2357

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2357/2SK2358 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2357/2SK2358 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) 10.0 ±0.3 4.

NEC
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