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データシート 2SK2082-01 PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
2 2SK2082-01

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK2082-01 DESCRIPTION ·Drain Current ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) ·Fast Switching Sp

Inchange Semiconductor
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1 2SK2082-01

N-channel MOS-FET

2SK2082-01 FAP-IIA Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 900V 1,4

Fuji Electric
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2SK データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SK1658

N-Channel MOSFET

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS 2SK1658 N-channel MOSFET V(BR)DSS 30 V RDS(on)MAX   10Ω@4V  15Ω@2.5V   ID 100mA SOT-323 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Low on-resistance z Fast switching speed z Low voltage

JCET
JCET
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2SK3592-01SJ

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

2SK3592-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET 200304 Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) Applications Switching regulators UPS

Fuji Electric
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2SK3716

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3716 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3716 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK3716 2SK3716-Z PACKAGE

NEC
NEC
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2SK2126

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

Power F-MOS FETs 2SK2126 Silicon N-Channel Power F-MOS FET s Features q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 100mJ q VGSS = ±30V guaranteed q High-speed switching: tf = 40ns q No secondary breakdown unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 s Applications 4.1±0.2

Panasonic Semiconductor
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2SK3214

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3214 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-763(Z) Target Specification 1st. Edition December 1998 Features • Low on-resistance R DS =130mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source Outline TO–220AB D G

Hitachi Semiconductor
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2SK1607

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1607 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=450V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching

Inchange Semiconductor
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2SK2082-01 回路図、ピン配列、同等



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