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1 2SJ549S

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ549(L),2SJ549(S) Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-644A (Z) 2nd. Edition Jun 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V g

Hitachi Semiconductor
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2SJ5 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SJ552S

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ552(L),2SJ552(S) Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-651B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. Outline LDPAK 4 D 1 G 1 4 2 3

Hitachi Semiconductor
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2SJ549S

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ549(L),2SJ549(S) Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-644A (Z) 2nd. Edition Jun 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching Outline LDPAK 4 4 D 1 1 2 3 G 2

Hitachi Semiconductor
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2SJ552L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ552(L),2SJ552(S) Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-651B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. Outline LDPAK 4 D 1 G 1 4 2 3

Hitachi Semiconductor
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2SJ520

Load Switching Applications

Ordering number:ENN6435 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ520 Load Switching Applications Features · Low ON resistance. · 2.5V drive. Package Dimensions unit:mm 2083B [2SJ520] 6.5 5.0 4 1.5 2.3 0.5 0.85 0.7 5.5 7.0 0.8 1.6 1.2 0.6 1 2 3 7.5 0.5 2.3 2.3 1 : Gate 2 : D

Sanyo Semicon Device
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