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データシート 2SCR533P PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2SCR533P

NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor

2SCR533P Middle Power Transistors (50V / 3A) Parameter VCEO IC Value 50V 3A lFeatures 1)Low saturation voltage, typically  VCE(sat)=350mV(Max.)  (IC/IB=1A/50mA) 2)High speed switching lOutline

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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2SC データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SC4501L

Silicon NPN Epitaxial

2SC4501(L)/(S) Silicon NPN Epitaxial Application High gain amplifier and medium speed switching Outline DPAK 4 4 1 2 3 12 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector 2, 4 1 S Type 3 3 L Type Free Datasheet http:/// 2SC4501(L)/(S) Absolute Maximum Ra

Renesas
Renesas
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2SC4603R

Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor

Fuji Electric
Fuji Electric
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2SC5191-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5191 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NEC
NEC
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2SC3483

NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
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2SC4332

Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2SC4332 DESCRIPTION ·Low collector saturation voltage ·Fast switching speed ·High DC current gain and excellent linearity ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliabl

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
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2SC5077A

Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

Power Transistors 2SC5077, 2SC5077A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 s Features q q q q q 4.1±0.2 8.0±0.2 Solder Dip High-speed switching High collector to base voltage VC

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
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2SCR533P 回路図、ピン配列、同等



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