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1 2SC5127A

Silicon NPN triple diffusion planar type

Power Transistors 2SC5127, 2SC5127A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 s Features q q q q 4.1±0

Panasonic Semiconductor
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2SC51 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SC5127

Silicon NPN triple diffusion planar type

Power Transistors 2SC5127, 2SC5127A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 s Features q q q q 4.1±0.2 8.0±0.2 Solder Dip High-speed switching High collector to base voltage VCBO

Panasonic Semiconductor
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2SC5155

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

Ordering number:EN4802 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5155 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Applications Applications · Various drivers. Features · High current capacity. · Adoption of MBIT process. · High DC current gain. · Low collector-to-emitter sat

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
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2SC5191-T1

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5191 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NEC
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2SC5172

Silicon NPN Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Breakdown Voltage : VCEO =400V APPLICATIONS ·Switching regulator and high voltage switching applications ·High speed DC-DC converter applications isc Product Specification 2SC5172 ABSOLUTE MA

Inchange Semiconductor
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