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2SC5057 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2SC5057

Silicon NPN Triple Diffused Planar

2SC5057 Silicon NPN Triple Diffused Planar Application HDTV horizontal deflection output Features • High breakdown voltage VCBO = 1700 V Outline TO-3PL 1 2 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter 2SC5

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
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2SC5 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2SC5127A

Silicon NPN triple diffusion planar type

Power Transistors 2SC5127, 2SC5127A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 s Features q q q q 4.1±0.2 8.0±0.2 Solder Dip High-speed switching High collector to base voltage VCBO

Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
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2SC5345

Silicon Epitaxial Planar Transistor

BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES z z z z High current transition frequency. Low output capacitance:Cob=1.4pF Low base time constant and high gain. Excellent noise response. Production specification 2SC5345 Pb Lead-free APPLICATIONS z General s

Galaxy Semi-Conductor
Galaxy Semi-Conductor
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2SC5772

Trans GP BJT NPN 9V 0.075A 3-Pin MPAK

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
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2SC5700

Silicon NPN Epitaxial

2SC5700 Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier REJ03G0751-0100 (Previous ADE-208-1435) Rev.1.00 Aug.10.2005 Features • High power gain low noise figure at low power operation: |S21|2 = 16 dB typ, NF = 1.0 dB typ (VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz) Outline RENESAS P

Renesas
Renesas
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