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2SC3709 データシート PDF 検索

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3 2SC3709

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3709 DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.4V(Max)@IC= 6A ·Good Linearity of hFE ·High

Inchange Semiconductor
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2 2SC3709

NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3709A 2SC3709A High-Current Switching Applications Unit: mm • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) • High-sp

Toshiba Semiconductor
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1 2SC3709A

High-Current Switching Applications

2SC3709A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3709A High-Current Switching Applications Unit: mm • • • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) High-s

Toshiba
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