2SAR553P データシート PDFこの部品の機能は「Midium Power Transistors」です。 |
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部品番号 |
2SAR553P Midium Power Transistors 2SAR553P PNP -2.0A -50V Middle Power Transistor Datasheet Parameter VCEO IC Value -50V -2.0A lFeatures 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SCR553P 3) Low VCE(sat) VCE ROHM Semiconductor |
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部品説明 |
2SAR553P5 Middle Power Transistors 2SAR553P5 Midium Power Transistors (-50V / -2A) Parameter VCEO IC Value -50V -2A lFeatures 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.4V (Max.) (IC/ IB= -700mA / -35mA) 2) High speed switching lOutline SOT-89 SC-62 MPT3 lInner circuit Dat ROHM Semiconductor |
2N2553 PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTORS 20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 USA 2N1038, 2N1039*. ?N1040- 2N1041* 2N2552, 2N2553*, 2N2554, 2N2555* 2N2556,, 2N2557*, 2N2558, 2N2559* TELEPHONE: (973) 376-2922 (212)227-6005 FAX: (973) 376-8960 A B C PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER These hermetically sealed a New Jersey Semi-Conductor |
2N2553 Trans GP BJT NPN 20V 3-Pin TO-18 Box New Jersey Semiconductor |
2SC2553 (2SCxxxx) Transistor ( DataSheet : ) Toshiba |
2SC2553 Silicon NPN Triple Diffysed Type
Toshiba |
2SC2553 Silicon NPN Power Transistors SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) ·Excellent switching time : tr=1.0µs(Max.) : tf=1.0µs(Max.@IC=4A APPLICATIONS ·Switching re Philips |
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