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2N7000A データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2N7000A

FIELD EFFECT TRANSISTOR

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION. FEATURES High density cell design for low RDS(ON). Voltage controolled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation curre

KEC
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2N700 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2N7002A

FIELD EFFECT TRANSISTOR

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION. FEATURES High density cell design for low RDS(ON). Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capablity. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC Drain-Source Voltage Dra

KEC
KEC
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2N7002TB

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

2N7002TB 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=5Ω • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@50mA=7.5Ω • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance • Specially Designed for Battery Operated Systems, Sol

Pan Jit International
Pan Jit International
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2N7002T

Small Signal MOSFET

Elektronische Bauelemente 2N7002T 115 mAMPS, 60VOLTS, RDS(on)=7.5 W Small Signal MOSFET RoHS Compliant Product Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–523 MAXIMUM RATINGS Rating Drain–Source Voltage Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) Gate–Source Volta

SeCoS
SeCoS
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2N7002KDW

Dual N-Channel Small Signal MOSFET

Elektronische Bauelemente 2N7002KDW 115mA, 60V Dual N-Channel Small Signal MOSFET FEATURES  Low on-resistance  Fast switching Speed  Low-voltage drive  Easily designed drive circuits  ESD protected:2000V RoHS Compliant Product A Suffix of “-C” specifies halo

SeCoS
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2N7000A 回路図、ピン配列、同等



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