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2N3687 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 2N3687

N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER

Calogic  LLC
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2N3 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2N3767

SILICON NPN POWER TRANSISTORS

2N3766 2N3767 SILICON NPN POWER TRANSISTORS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3766 and 2N3767 are silicon NPN power transistors manufactured by the epitaxial base process designed for power amplifier and medium speed switching applicat

Central Semiconductor
Central Semiconductor
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2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

2N3879 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 3.68 (0.145) rad. max. 3.61 (0.142) 4.08(0.161) rad. 12 NPN POWER SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED METAL PACKAGE 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) FEATURES • VCEO = 75V • IC = 7A 24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 14.48 (0.57

Seme LAB
Seme LAB
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2N3499

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous @Total Device Dissipation Ta = 25°C Derate above 25°C @Total Device Dissipation Tc = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature

Motorola
Motorola
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2N3713

Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2N3713 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS ·De

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
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