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2N3173 データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
2 2N3173

Silicon PNP Power Transistor

isc Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2N3173 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max)@ IC = -1A ·100% avalanche

Inchange Semiconductor
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1 2N3173

Bipolar PNP Device

2N3173 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package.

Seme LAB
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2N3 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
2N3879

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

2N3879 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 3.68 (0.145) rad. max. 3.61 (0.142) 4.08(0.161) rad. 12 NPN POWER SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED METAL PACKAGE 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) FEATURES • VCEO = 75V • IC = 7A 24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 14.48 (0.57

Seme LAB
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2N3499

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous @Total Device Dissipation Ta = 25°C Derate above 25°C @Total Device Dissipation Tc = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature

Motorola
Motorola
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2N3713

Silicon NPN Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 2N3713 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS ·De

Inchange Semiconductor
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2N3094

Thyristor SCR 30V 8A 3-Pin TO-18

New Jersey Semiconductor
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2N3396

Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin TO-92 Box

New Jersey Semiconductor
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2N3510

Trans GP BJT NPN 150V 3-Pin TO-39

New Jersey Semiconductor
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2N3173 回路図、ピン配列、同等



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