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2729-170 データシート PDF

この部品の機能は「Radar」です。


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部品番号
2729-170

Radar


2729-170R2 2729-170 170 Watts, 38 Volts, 100µs, 10% Radar 2700-2900 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2729-170 is an internally matched, COMMON BASE bipolar transistor capable of providing 170 Watts of p


Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

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2729-170

Radar


2729-170R4 2729-170 170 Watts, 38 Volts, 100µs, 10% Radar 2700-2900 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2729-170 is an internally matched, COMMON BASE bipolar transistor capable of providing 170 Watts of p


Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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文字列「 2729170 」「 2729 」で始まる検索結果です。

部品説明

2729-125

Radar

2729-125 125 Watts, 36 Volts, 100µs, 10% Radar 2700-2900 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2729-125 is an internally matched, COMMON BASE bipolar transistor capable of providing 125 Watts of pulsed RF output power at 100µs pulse width, 10% duty factor across the 2700 to 2900 MHz ban

Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

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2SK2729

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2729 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-455 A 2nd. Edition Features • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current Avalanche ratings Outline TO–3P D G 1 S 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source 2SK2729 Absolute Ma

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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AM2729-110

S-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

AM2729-110 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS . . . . . . . . REFRACTORY/GOLD METALLIZATION EMITTER SITE BALLASTED 3:1 VSWR CAPABILITY LOW THERMAL RESISTANCE INPUT/OUTPUT MATCHING OVERLAY GEOMETRY METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE P OUT = 105 W MIN. WITH 6.5 dB G

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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AM2729-125

RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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BLS7G2729L-350P

LDMOS S-band radar power transistor

BLS7G2729L-350P; BLS7G2729LS-350P LDMOS S-band radar power transistor Rev. 5 — 16 May 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 350 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 2.9 GHz. Table 1. Typic

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

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BLS7G2729LS-350P

LDMOS S-band radar power transistor

BLS7G2729L-350P; BLS7G2729LS-350P LDMOS S-band radar power transistor Rev. 5 — 16 May 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 350 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 2.9 GHz. Table 1. Typic

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

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