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1SS406 データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 1SS406

Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Diode

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 1SS406 High Speed Switching Application 1SS406 Unit: mm z Low forward voltage z Low reverse current z Small total capacitance : VF (3) = 0.50V

Toshiba
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1SS4 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
1SS424

Silicon Epitaxial Planar Type Diode

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 1SS424 High-Speed Switching Applications z Low forward voltage : VF (3) = 0.50 V (typ.) 1SS424 Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Maximum (peak) reverse voltage VRM 30 V

Toshiba
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1SS401

SCHOTTKY BARRIER DIODE

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes 1SS401 Schottoky Barrier Diode FEATURES Low forward voltage Lo w reverse current Small total capacitance SOT-323 MARKING: D9 1 3 2 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green mol

JCET
JCET
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1SS400

DIODE

RoHS 1SS400 FEATURES 1SS400 High Speed SWITCHING Diodes Small surface mounting type High Speed High reliability with high surge current handing capability NICMaximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25 Parameter Symbol Limits OPeak reverse voltage

WEJ
WEJ
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1SS400G

High Speed Switching Diodes

SMD Type High Speed Switching Diodes 1SS400G Diodes Features Small surface mounting type High Speed High reliability with high surge current handing capability +0.050.6 -0.05 SOD-723 1.0+0.1 -0.1 Unit: mm 1.4+0.1 -0.1 +0.050.3 -0.05 0.55+0.03 -0.02 0.65max +0.050.1 -0.0

Kexin
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1SS406 回路図、ピン配列、同等



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