15P12 データシート PDF

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部品番号

15P12

FQP15P12

FQP15P12/FQPF15P12 QFET FQP15P12/FQPF15P12 120V P-Channel MOSFET General Description These P -Channel enhanc ement m ode pow er f ield effect transistors ar e prod uced using F airchild’s proprieta

Fairchild Semiconductor

文字列「 15P12 」「 15P12 」で始まる検索結果です。

部品説明

2SA1512

Silicon PNP Epitaxial Transistor

Transistor 2SA1512 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency output amplification Complementary to 2SC1788 Unit: mm 4.0±0.2 3.0±0.2 0.7±0.1 s Features q q q q Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Optimum for low-voltage operation and for converter

Panasonic Semiconductor

2SK1512

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1512 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900 (Min) APPLICATIONS ·High voltage,high speed power switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL

Inchange Semiconductor

2SK1512-01

Power MOSFET ( Transistor )

Fuji

828315120000x

(8283 Series) Plug Straight

w w w .D at aS he et 4U .c om

Kyocera

A1512

PNP Transistor - 2SA1512

Transistor 2SA1512 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency output amplification Complementary to 2SC1788 s Features q Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). q Optimum for low-voltage operation and for converters. q Allowing supply with the radial tapi

Panasonic Semiconductor

ACE1512E

N-Channel MOSFET

ACE1512E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection Description The ACE1512E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 8V. It is ESD protected. Fea

ACE Technology

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特徴

私たちは、エンジニア、技術者が作業している電子部品に関する包括的な最新情報にアクセスすることがどれほど重要かを知っています。当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。

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