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15N03GH データシート PDF 検索

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1 15N03GH

AP15N03GH

AP15N03GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Low Gate Charge ▼ Simple Drive Requirement ▼ Fast Switching G S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET D BVDSS RDS(ON)

Advanced Power Electronics
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15N0 データシート - 検索結果

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15N05

N-Channel Mosfet Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 15N05 ·FEATURES ·Drain Current ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.14Ω(Max) ·Fast Switching ·APPLICATIONS ·Switch reg

Inchange Semiconductor
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15N06

N-Channel Mosfet Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 15N06 ·FEATURES ·Drain Current ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.14Ω(Max) ·Fast Switching ·APPLICATIONS ·Switch reg

Inchange Semiconductor
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15N03K

AP15N03K

AP15N03H/J Advanced Power Electronics Corp. ▼ Low Gate Charge ▼ Simple Drive Requirement ▼ Fast Switching G S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET D BVDSS RDS(ON) ID 30V 80mΩ 15A Description The TO-252 package is universally

Advanced Power Electronics
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15N06

60V N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 15N06 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET „ DESCRIPTION 1 1 Power MOSFET TO-220 The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a lo

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
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