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10N60C データシート PDF 検索

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1 10N60C

FQP10N60C

www.Datasheet.jp FQP10N60C/FQPF10N60C QFET FQP10N60C/FQPF10N60C 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairch

Fairchild Semiconductor
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10N データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
10N65F

N-CHANNEL MOSFET

10N65(F,B,H) 10A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE  10A,650V,RDS(ON)=0.85Ω@VGS=10V/5A  Low gate charge  Low Ciss  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability TO-220AB 10N65 ITO-220AB 10N65F TO-263 10N65B TO-262 10N65H Absolute

CHONGQING PINGYANG
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10N75

N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N75 Preliminary Power MOSFET 10 Amps, 750 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET „ DESCRIPTION 1 TO-220 The UTC 10N75 is a N-channel mode Power FET using UTC’s advanced technology to provide costomers with planar stripe and DMOS technology. This techn

Unisonic Technologies
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10N65Z

10A 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N65Z 10A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET  DESCRIPTION Power MOSFET The UT C 10N 65Z is a high voltag e a nd high curre nt p ower MOSFET, designe d to hav e better charac teristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resis

UNISONIC TECHNOLOGIES
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10N60H

N-CHANNEL MOSFET

10N60(F,B,H) 10A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE  10A,600V,RDS(ON)=0.85Ω@VGS=10V/5A  Low gate charge  Low Ciss  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability TO-220AB 10N60 ITO-220AB 10N60F TO-263 10N60B TO-262 10N60H Absolute

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