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1 09N03LA

IPB09N03LA

www.Datasheet.jp IPB09N03LA IPI09N03LA, IPP09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R D

Infineon Technologies
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部品番号 部品説明 メーカ PDF
09N05

SPD09N05

SPD 09N05 SIPMOS® Power Transistor Features • N channel • Product Summary Drain source voltage Drain-Source on-state resistance Continuous drain current VDS RDS(on) ID 55 0.1 9.2 V Ω A Enhancement mode rated • Avalanche rated • dv/dt • 175

Infineon
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09N03

PJD09N03

www.Datasheet.jp PJD09N03 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET TO-252 FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for

Pan Jit International
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09N03LA

IPB09N03LA

IPB09N03LA IPI09N03LA, IPP09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal res

Infineon Technologies
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