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06N03LA データシート PDF ( Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 06N03LA

IPB06N03LA

www.Datasheet.jp IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R D

Infineon Technologies Corporation
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06N データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
06N02C

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

FNK06N02C N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The FNK06N02Cuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. ID = 50A RDS(ON)< 7.5mΩ @ VGS=4.5V DS(ON)<10.0mΩ @ VGS=2.5V ● High Powe

FNK
FNK
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06N03

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD06N03 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET TO-252 FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=6mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and M

Pan Jit International
Pan Jit International
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06N80C3

SPP06N80C3

SPP06N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge

Infineon
Infineon
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06N03LA

IPB06N03LA

IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal res

Infineon Technologies Corporation
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06N03LA 回路図、ピン配列、同等



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