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25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD06N03 25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET TO-252 FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=6mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Desi

Pan Jit International
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1 06N03LA

IPB06N03LA

www.Datasheet.jp IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R D

Infineon Technologies Corporation
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