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K6A65D データシート ( K6A65D Datasheet )

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1 K6A65D  K6A65D データシート - Toshiba Semiconductor

TK6A65D


TK6A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK6A65D Switching Regulator Applications • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.95 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ =4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Drain-source voltage Gate-source voltage DC Drain current (Note 1)
Toshiba Semiconductor
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