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1N4148 PDF Data sheet ( 特性 )

部品番号 1N4148
部品説明 Fast Switching Diode
メーカ NTE
ロゴ NTE ロゴ 



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1N4148 Datasheet, 1N4148 PDF,ピン配置, 機能
1N4148 & 1N4448
Fast Switching Diode
Features:
D Fast Switching Speed
D General Purpose Rectification
D Silicon Epitaxial Planar Construction
Mechanical Data:
D Case: DO-35
D Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
D Polarity: Cathode Band
D Marking: Type Number
D Weight: 0.13 grams (approx.)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, unless otherwise specified)
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage, VRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
RMS Reverse Voltage, VR(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53V
Forward Continuous Current (Note 1), IFM
1N4148 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
1N4448 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Average Rectified Output Current (Note 1), IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, IFSM
t = 1.0s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
t = 1.0μs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Power Dissipation (Note 1), Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.68mW/°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300K/W
Operating Junction Temperature Range, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +175°C
Note 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.

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