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1N5711WのメーカーはWEJです、この部品の機能は「DIODE」です。 |
部品番号 | 1N5711W |
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部品説明 | DIODE | ||
メーカ | WEJ | ||
ロゴ | |||
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RoHS
1N5711W
TDFeatures
.,L· Low Forward Voltage Drop
· Guard Ring Construction for Transient
Protection
· Fast Switching Time
O· Low Reverse Capacitance
· Surface Mount Package Ideally Suited for
IC CAutomatic Insertion
SOD-123
2.70
3.70
ONMaximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
RPeak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
TRMS Reverse Voltage
Maximum Forward Current
CPower Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
EOperating and Storage Temperature Range
Symbol
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
Pd
RqJA
Tj, TSTG
1N5711W
70
49
15
250
600
-65 to +175
Unit
V
V
mA
mW
K/W
°C
LElectrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
ECharacteristic
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
JForward Voltage Drop
Junction Capacitance
EReverse Recovery Time
Symbol Min Typ Max
V(BR)R
70
¾
¾
IR ¾ ¾ 200
VFM
¾
¾
0.41
1.00
Cj ¾ ¾ 2.0
trr ¾ ¾ 1.0
WNote: 1. Valid provided that terminals from the case are maintained at ambient temperature.
Unit
V
nA
V
pF
ns
Test Condition
IR = 10mA
VR = 50V
IF = 1.0mA
IF = 15mA
VR = 0V, f = 1.0MHz
IF = IR= 5.0mA
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1N5711W データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1N5711 | SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE | STMicroelectronics |
1N5711 | SCHOTTKY BARRIER DIODES | Compensated Deuices Incorporated |
1N5711 | SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE | Diodes Incorporated |
1N5711 | Schottky Diodes | General Semiconductor |